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三星3nm工藝良率低于客戶期望,面臨臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)壓力,半導(dǎo)體業(yè)務(wù)陷入危機(jī)

   時(shí)間:2024-11-07 19:50 來(lái)源:ITBEAR作者:沈瑾瑜

近日,韓媒曝光了三星電子在3nm工藝制程上的困境。據(jù)悉,三星的第1、2代3nm技術(shù),即SF3E-3GAE與SF3-3GAP,其良率分別僅為60%和20%,遠(yuǎn)未達(dá)到客戶期望的70%標(biāo)準(zhǔn)。這一現(xiàn)狀使得三星在先進(jìn)制程市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中,難以與臺(tái)積電等對(duì)手抗衡,進(jìn)而影響了其尖端邏輯工藝的投資回報(bào)。

三星DS部門作為具備IDM特質(zhì)的企業(yè),其存儲(chǔ)器、系統(tǒng)LSI及Foundry業(yè)務(wù)本應(yīng)形成互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)。若自家設(shè)計(jì)的Exynos處理器能順利由Foundry制造,并得到市場(chǎng)認(rèn)可,將有望吸引更多客戶采用三星的“交鑰匙”解決方案,包括邏輯代工、HBM內(nèi)存及先進(jìn)封裝技術(shù)。然而,目前這一良性循環(huán)尚未實(shí)現(xiàn),反而使三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)陷入危機(jī)。

業(yè)界預(yù)計(jì),在即將到來(lái)的年度管理層調(diào)整中,三星電子DS部門或?qū)⒂瓉?lái)高層的大換血。三大業(yè)務(wù)部門的負(fù)責(zé)人均面臨被替換的可能,且此次調(diào)整可能早于往年常規(guī)的12月初進(jìn)行。

今年5月,三星已意外地在年中完成了DS部門總負(fù)責(zé)人的更替,由全永賢接替慶桂顯的職位。這一變動(dòng)在當(dāng)時(shí)便引發(fā)了業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。

 
 
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