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SK海力士宣布LPDDR5T移動(dòng)內(nèi)存成功登場(chǎng):天璣9300平臺(tái)性能驗(yàn)證完美通過(guò)

   時(shí)間:2023-08-11 09:03 來(lái)源:網(wǎng)界科技

【網(wǎng)界科技】8月11日消息,近日,SK海力士在其官方網(wǎng)站上宣布了令人振奮的消息:經(jīng)過(guò)性能驗(yàn)證,他們的最新移動(dòng)內(nèi)存LPDDR5T已在天璣9300平臺(tái)上成功運(yùn)行。這標(biāo)志著LPDDR5T正式進(jìn)軍市場(chǎng),并以其驚人的性能表現(xiàn)引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

vivo或首發(fā)全球最快內(nèi)存!海力士LPDDR5T已完成驗(yàn)證

據(jù)SK海力士透露,經(jīng)過(guò)測(cè)試,LPDDR5T的速度達(dá)到了驚人的9.6Gbps,較其上一代LPDDR5X快了整整13%,堪稱(chēng)全球最快的移動(dòng)內(nèi)存之一。這一性能的突破,將為移動(dòng)設(shè)備的性能提升提供有力的支持。同時(shí),這也意味著LPDDR5T有望在即將發(fā)布的vivo X100系列手機(jī)上首次亮相,為用戶帶來(lái)更加出色的移動(dòng)體驗(yàn)。

vivo或首發(fā)全球最快內(nèi)存!海力士LPDDR5T已完成驗(yàn)證

LPDDR5T內(nèi)存具備出色的特性,既能保持高速運(yùn)行,又能保持低功耗。根據(jù)JEDEC的規(guī)定,LPDDR5T可以在超低電壓范圍(1.01V至1.12V)內(nèi)運(yùn)行,這有助于延長(zhǎng)設(shè)備的電池壽命。此外,LPDDR5T內(nèi)存還采用了高度先進(jìn)的HKMG工藝,并計(jì)劃采用1αnm工藝制造,以進(jìn)一步提升其性能表現(xiàn),助力移動(dòng)設(shè)備在多任務(wù)處理和高性能應(yīng)用中更加流暢運(yùn)行。

除了在手機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用,LPDDR5T內(nèi)存還可廣泛應(yīng)用于筆記本電腦等領(lǐng)域。9.6Gbps的LPDDR5T內(nèi)存以雙通道形式封裝在筆記本內(nèi)部,將帶寬提升至驚人的154GB/s,為筆記本電腦帶來(lái)了更強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力和多任務(wù)處理能力。

vivo或首發(fā)全球最快內(nèi)存!海力士LPDDR5T已完成驗(yàn)證

據(jù)網(wǎng)界科技了解,預(yù)計(jì)vivo X100系列手機(jī)將在今年年底正式發(fā)布。標(biāo)準(zhǔn)版預(yù)計(jì)搭載天璣9300芯片,該芯片由4顆Cortex-X4超大核心和4顆Cortex-A720大核心組成,全部為性能核心,為用戶帶來(lái)強(qiáng)勁的性能體驗(yàn),與蘋(píng)果A17芯片不相上下。

 
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