在化合物半導體領(lǐng)域，ICNS國際會議一直是全球頂尖科學家、工程師及產(chǎn)業(yè)界精英交流的重要平臺。此次第15屆ICNS會議，匯聚了來自斯坦福大學、北京大學、東京大學、法國科學院及英飛凌等機構(gòu)的專家學者，共同探討氮化物半導體的最新研究成果與發(fā)展趨勢。會議不僅涵蓋了材料生長、器件物理等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域，還深入探討了這些技術(shù)在半導體照明、通信、能源等領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

作為氮化鎵功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新者，廣東致能半導體有限公司受邀出席了此次盛會。致能公司展示了其在硅基垂直氮化鎵功率器件技術(shù)上的重大突破，這一成果引發(fā)了國際同行的廣泛關(guān)注與熱議。

據(jù)致能公司介紹，硅基垂直氮化鎵器件架構(gòu)能夠突破傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)在導電能力和散熱性能上的局限，展現(xiàn)出卓越的性能和巨大的系統(tǒng)集成潛力。這一架構(gòu)被視為推動氮化鎵功率器件向更大功率領(lǐng)域邁進的關(guān)鍵技術(shù)之一。

與傳統(tǒng)的橫向結(jié)構(gòu)氮化鎵器件相比，垂直結(jié)構(gòu)器件的源極位于頂部，漏極位于底部，電流縱向流動。這種設(shè)計使得垂直結(jié)構(gòu)器件具有更低的導通電阻、更強的耐壓能力和更高的散熱效率，尤其適用于高壓、高功率的應(yīng)用場景。

致能團隊在硅襯底上成功實現(xiàn)了垂直GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)及垂直二維電子氣溝道的直接外延生長方法，這一創(chuàng)新技術(shù)為制備低位錯密度的氮化鎵鰭狀結(jié)構(gòu)提供了可能?；诖耍履苎兄瞥隽巳蚴讉€具有垂直二維電子氣溝道的常開型器件及閾值電壓可調(diào)的常關(guān)型器件。

在工藝集成方面，致能通過特定工藝實現(xiàn)了全垂直電極結(jié)構(gòu)布局，這一設(shè)計不僅提升了散熱效率，還提高了量產(chǎn)的可行性。這一創(chuàng)新架構(gòu)和工藝為器件的微縮和大電流性能迭代提供了廣闊的空間。

在ICNS會議上，致能還展示了其垂直二維電子氣氮化鎵功率器件架構(gòu)的實物圖片。圖片中，左圖為生長用硅襯底尚未去除的器件架構(gòu)，右圖則為去除硅襯底后的垂直氮化鎵器件晶圓。這一創(chuàng)新成果不僅展示了致能在材料外延、結(jié)構(gòu)設(shè)計和工藝集成等方面的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為其在國內(nèi)外廣泛布局核心知識產(chǎn)權(quán)、構(gòu)建完整專利體系奠定了堅實的基礎(chǔ)。

廣東致能半導體有限公司成立于2018年，總部位于深圳，并在徐州、廣州、上海等地設(shè)有研發(fā)基地和市場銷售中心。公司由具有豐富半導體研發(fā)經(jīng)驗的海外歸國專家領(lǐng)銜創(chuàng)立，擁有一支頂尖的研發(fā)團隊。在常關(guān)型、垂直溝道氮化鎵功率器件等方面，致能擁有多項獨特技術(shù)發(fā)明，致力于推動第三代半導體氮化鎵功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進程。