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ASML第二代High NA EUV光刻機EXE:5200即將發(fā)貨,助力后2nm工藝

   時間:2025-02-01 11:54 來源:ITBEAR作者:陸辰風

ASML公司近日宣布,其首席執(zhí)行官Christophe Fouquet在2024年第四季度財報電話會議上透露了一個重要消息:首臺第二代0.55 (High) NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200即將以“早期工具”的身份發(fā)貨,用于技術成熟度驗證。這一消息標志著ASML在EUV光刻技術方面又邁出了重要一步。

EXE:5200是ASML對現(xiàn)有初代High NA EUV光刻機EXE:5000的改進版本。Christophe Fouquet表示,EXE:5200在設計和性能上都進行了優(yōu)化,使其更適合大批量生產(chǎn)。而EXE:5000作為High NA EUV光刻技術的先驅(qū),主要用于技術的開發(fā)和驗證。

據(jù)悉,EXE:5200預計將擁有更高的晶圓吞吐量,相比EXE:5000的每小時185片以上,其生產(chǎn)效率將進一步提升。同時,EXE:5200還支持更為精細的后2nm邏輯半導體工藝,這對于滿足未來半導體市場的需求具有重要意義。

除了EXE:5200,ASML的0.33 (Low) NA EUV光刻機也取得了顯著進展。Christophe Fouquet透露,最新型號NXE:3800E已在工廠實現(xiàn)了每小時220片的設計晶圓吞吐量。這一數(shù)字不僅比NXE:3800E初期的185片有所提升,更比前一代NXE:3600D高出37.5%。這一提升主要得益于NXE:3800E在結構上的改進和優(yōu)化。

ASML的光刻系統(tǒng)一直以來都備受業(yè)界關注,其技術的不斷迭代和升級也推動了半導體行業(yè)的發(fā)展。此次EXE:5200和NXE:3800E的發(fā)布,無疑將進一步提升ASML在EUV光刻技術領域的領先地位。

 
 
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