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SK海力士LPDDR5M內(nèi)存:功耗再降8%,能效表現(xiàn)更出色

   時(shí)間:2025-02-27 10:36 作者:朱天宇

SK海力士近期在海外社交媒體平臺(tái)上預(yù)告了其最新一代LPDDR內(nèi)存技術(shù)——LPDDR5M,標(biāo)志著內(nèi)存技術(shù)的新一輪革新。據(jù)悉,LPDDR5M不僅速度驚人,達(dá)到了9.6Gbps,而且在能效方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升。

根據(jù)SK海力士的介紹,LPDDR5M的工作電壓僅為0.98V,相較于前代LPDDR5T降低了0.03V。這一變化使得LPDDR5M在能效表現(xiàn)上更為出色,為高性能設(shè)備提供了更為持久的電池續(xù)航能力。

LPDDR5M與LPDDR5T均屬于LPDDR5X內(nèi)存的非JEDEC規(guī)范擴(kuò)展版本,它們超越了標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR5規(guī)格,旨在滿足高端市場(chǎng)對(duì)更高性能和能效的需求。LPDDR5M中的“M”代表Max,凸顯了其在各項(xiàng)參數(shù)上的極致追求。

值得注意的是,三星電子同樣在這一領(lǐng)域取得了進(jìn)展,開發(fā)了速度高達(dá)12.7Gbps的LPDDR5-Ultra-Pro內(nèi)存。然而,SK海力士憑借LPDDR5M在能效方面的優(yōu)勢(shì),吸引了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

據(jù)韓媒MT(Money Today)報(bào)道,SK海力士聲稱LPDDR5M在全速運(yùn)行時(shí)的能效比標(biāo)準(zhǔn)LPDDR5X高出8%。這一顯著的提升意味著LPDDR5M將在智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中扮演更為重要的角色,為用戶提供更加流暢且持久的使用體驗(yàn)。

業(yè)內(nèi)專家預(yù)測(cè),隨著LPDDR5M技術(shù)的不斷成熟和完善,今年內(nèi)消費(fèi)者有望見到搭載這一新技術(shù)的產(chǎn)品正式亮相市場(chǎng)。這無(wú)疑將為內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展注入新的活力,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)邁向更高的水平。

 
 
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