在最近的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星宣布了一項(xiàng)基于LPDDR5規(guī)格的重大技術(shù)突破——LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。這款DRAM芯片采用三星的第五代10nm級(jí)DRAM工藝，僅需1.05V的標(biāo)準(zhǔn)電壓，便能實(shí)現(xiàn)驚人的12700 MT/s數(shù)據(jù)傳輸速率，成功超越了LPDDR5X的最高紀(jì)錄。

為了達(dá)到這一前所未有的速度，三星引入了兩項(xiàng)獨(dú)家電路級(jí)技術(shù)。第一項(xiàng)是“四相自校準(zhǔn)環(huán)路”技術(shù)。在高速數(shù)據(jù)傳輸過程中，DRAM內(nèi)部的四個(gè)時(shí)鐘相位（0°、90°、180°、270°）必須保持精確對(duì)齊。三星的這項(xiàng)技術(shù)能夠監(jiān)測(cè)并記錄這些相位對(duì)之間的偏差，并通過自動(dòng)補(bǔ)償機(jī)制調(diào)整各相位，確保時(shí)鐘邊緣整齊均勻。這一機(jī)制有效避免了微小的相位偏差對(duì)時(shí)序和性能的影響。

第二項(xiàng)技術(shù)是“AC耦合收發(fā)器均衡技術(shù)”。在高速數(shù)據(jù)傳輸場(chǎng)景下，信號(hào)往往會(huì)遭遇衰減和碼間串?dāng)_的問題。三星的這項(xiàng)技術(shù)通過增強(qiáng)時(shí)鐘信號(hào)、優(yōu)化接收器均衡以及對(duì)發(fā)射器進(jìn)行預(yù)加重，確保了信號(hào)在傳輸過程中的高質(zhì)量。這不僅滿足了JEDEC對(duì)LPDDR5X的數(shù)據(jù)傳輸和功耗要求，甚至有所超越。

三星的報(bào)告指出，在1.05V的電壓下，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)12700 MT/s。即使在10700 MT/s的運(yùn)行條件下，該芯片在0.9V以上的電壓下仍能保持穩(wěn)定。這一表現(xiàn)充分驗(yàn)證了三星內(nèi)存產(chǎn)品技術(shù)的可靠性和穩(wěn)定性。

三星還強(qiáng)調(diào)了這兩項(xiàng)專有技術(shù)在提升DRAM性能方面的關(guān)鍵作用。通過精確的時(shí)鐘相位校準(zhǔn)和高效的信號(hào)傳輸優(yōu)化，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM不僅在速度上取得了突破，還在穩(wěn)定性和能效方面表現(xiàn)出色。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM將為移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算等領(lǐng)域帶來革命性的變化。其卓越的性能和穩(wěn)定性將推動(dòng)相關(guān)行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。

隨著三星LPDDR5-Ultra-Pro DRAM技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用推廣，我們有理由期待這一技術(shù)將在未來發(fā)揮更加重要的作用，為科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入新的活力。