JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)近日在美國(guó)弗吉尼亞州正式揭曉了HBM4內(nèi)存規(guī)范JESD270-4，這一最新版本標(biāo)志著HBM內(nèi)存技術(shù)邁入了新的性能高峰。

HBM4內(nèi)存的升級(jí)亮點(diǎn)在于其采用了2048-bit的接口寬度，這一寬度是之前版本的兩倍。結(jié)合8Gb/s的傳輸速率，HBM4的總帶寬驚人地達(dá)到了2TB/s，為高性能計(jì)算提供了強(qiáng)有力的支持。

不僅如此，HBM4還支持多樣化的DRAM堆棧層數(shù)和芯片密度。用戶可以選擇4層、8層、12層或18層的DRAM堆棧，以及24Gb或32Gb的芯片密度，這使得單堆棧的容量最高可達(dá)64GB，滿足了不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

在通道數(shù)量上，HBM4也實(shí)現(xiàn)了翻倍提升。相較于HBM3的16個(gè)獨(dú)立通道，HBM4增加到了32個(gè)，這一改進(jìn)進(jìn)一步提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)男屎挽`活性。同時(shí)，在電壓方面，HBM4也進(jìn)行了優(yōu)化，VDDQ電壓可選0.7V、0.75V、0.8V或0.9V，VDDC電壓可選1.0V或1.05V，這些改進(jìn)共同降低了功耗，提高了能效。

在安全性方面，HBM4引入了DRFM定向刷新管理功能，這一功能顯著提升了對(duì)row-hammer攻擊的防御能力，為用戶的數(shù)據(jù)安全提供了更加可靠的保障。

英偉達(dá)技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān)Barry Wagner，同時(shí)也是JEDEC HBM小組委員會(huì)主席，對(duì)此表示：“隨著HPC平臺(tái)的快速發(fā)展，對(duì)內(nèi)存帶寬和容量的需求日益迫切。HBM4的推出，正是技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者共同努力的結(jié)果，旨在推動(dòng)AI和其他加速應(yīng)用的高效、高性能計(jì)算實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍。”