三星電子近日在其華城園區(qū)引入了一項重大技術(shù)升級，據(jù)韓媒FNnews報道，該公司引進了ASML制造的High NA極紫外光刻（EUV）設(shè)備，旨在增強2納米及以下先進制程技術(shù)的競爭力。

ASML所生產(chǎn)的High NA EUV設(shè)備，型號為“EXE:5000”，是目前全球唯一能供應(yīng)此類高端設(shè)備的廠商。其價格昂貴，每臺高達5000億韓元（約等于24.88億元人民幣）。該設(shè)備通過提升透鏡和反射鏡的尺寸，成功將數(shù)值孔徑（NA）從0.33提高至0.55，極大程度上增強了光刻的精確度，成為了制造2納米及以下芯片不可或缺的關(guān)鍵工具。

與現(xiàn)有的EUV設(shè)備相比，High NA EUV設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細的電路線寬，從而有效降低功耗，并提升數(shù)據(jù)處理速度。自去年起，三星電子已經(jīng)開始評估該設(shè)備在工藝上的應(yīng)用，并計劃將其應(yīng)用于下一代半導(dǎo)體制造中。

在完成設(shè)備安裝后，三星電子計劃全面構(gòu)建一個完善的2納米工藝生態(tài)系統(tǒng)。據(jù)三星晶圓代工業(yè)務(wù)部負責人韓鎮(zhèn)萬表示，盡管公司在環(huán)繞柵極（GAA）工藝轉(zhuǎn)換上處于領(lǐng)先地位，但在商業(yè)化進程上仍需加速，因此，2納米工藝的快速量產(chǎn)成為了公司的首要目標。

全球半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭們都在加速引入High-NA EUV設(shè)備。其中，英特爾在2023年便率先采購了ASML的首臺High-NA EUV設(shè)備，并已簽訂合同購買總計6臺。據(jù)報道，英特爾的前兩臺High-NA EUV設(shè)備已經(jīng)投入生產(chǎn)，每季度能夠處理3萬片晶圓。

據(jù)BITS&CHIPS報道，英特爾預(yù)計將成為首批獲得EXE:5200設(shè)備的公司，用于其14A節(jié)點的生產(chǎn)。而臺積電則計劃在2028年啟動High-NA EUV設(shè)備的量產(chǎn)。