近日，有關(guān)三星電子HBM3E產(chǎn)品的消息引起了業(yè)界的關(guān)注。據(jù)報道，這款36GB容量的HBM3E 12H內(nèi)存由于受制于其14nm級DRAM技術(shù)，至今未能通過主要客戶英偉達(dá)的認(rèn)證并實現(xiàn)供貨。預(yù)計該產(chǎn)品的供應(yīng)將推遲至2025年的第2至3季度。

與競爭對手SK海力士和美光相比，三星電子在HBM領(lǐng)域的工藝顯得較為落后，后者已采用1nm級DRAM技術(shù)。原因在于，三星電子的12nm級DRAM最初設(shè)計時并未考慮用于HBM領(lǐng)域，因此無法迅速調(diào)整以適應(yīng)HBM3E內(nèi)存的需求。同時，三星電子的1a DRAM還面臨著工藝和設(shè)計上的雙重挑戰(zhàn)。

盡管采用了較為激進(jìn)的EUV技術(shù)來降低成本，使得其1a DRAM產(chǎn)品相比SK海力士同期產(chǎn)品多了5個EUV層，但由于EUV工藝的復(fù)雜性和穩(wěn)定性問題，這些技術(shù)優(yōu)勢并未轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟(jì)上的優(yōu)勢。

三星的1a DRAM設(shè)計本身也存在問題，這導(dǎo)致其DDR5服務(wù)器內(nèi)存條獲得英特爾產(chǎn)品認(rèn)證的時間晚于競爭對手SK海力士。有消息透露，三星電子正在內(nèi)部討論是否對部分1a DRAM電路進(jìn)行重新設(shè)計，但這一決策尚未確定。而重新設(shè)計并批量生產(chǎn)需要6個月時間，這無疑將影響三星電子向下游廠商的及時交付。