半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團(tuán)（Lam Research）近日在美國(guó)加州宣布了一項(xiàng)重大創(chuàng)新，正式推出了全球首款采用鉬（Mo）原子層沉積（ALD）技術(shù)的設(shè)備——ALTUS Halo。這款設(shè)備已經(jīng)在邏輯半導(dǎo)體和3D NAND領(lǐng)域獲得了初步應(yīng)用，標(biāo)志著半導(dǎo)體工藝的一次重要突破。

ALTUS Halo的問(wèn)世，為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了新的解決方案。在過(guò)去二十多年的半導(dǎo)體工藝中，鎢（W）因其卓越的溝槽填充能力在金屬布線元器件互聯(lián)中占據(jù)主導(dǎo)地位。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，鎢電阻較高的缺點(diǎn)逐漸凸顯，使得尋找替代材料成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。而鉬憑借其在溝槽填充和電阻兩方面的優(yōu)異表現(xiàn)，逐漸成為了布線工藝的新選擇。ALTUS Halo正是針對(duì)這一需求而設(shè)計(jì)的，它能夠向半導(dǎo)體中注入鉬，從而解決現(xiàn)有工藝中的瓶頸問(wèn)題。

泛林集團(tuán)的高級(jí)副總裁兼全球產(chǎn)品集團(tuán)總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示，ALTUS Halo是基于泛林深厚的金屬化專業(yè)知識(shí)而誕生的，是原子層沉積領(lǐng)域二十多年來(lái)最重要的突破之一。該設(shè)備將泛林獨(dú)有的四站模塊架構(gòu)與ALD技術(shù)的新進(jìn)展相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了工程化的低電阻率鉬沉積，滿足了新興和未來(lái)芯片變化的關(guān)鍵要求，包括千層3D NAND、4F2 DRAM以及先進(jìn)的GAA邏輯電路。

美光公司負(fù)責(zé)NAND開發(fā)的副總裁Mark Kiehlbauch也對(duì)ALTUS Halo表示了高度認(rèn)可。他指出，鉬金屬化的集成使得美光能夠在最新一代NAND產(chǎn)品中率先推出業(yè)界領(lǐng)先的I/O帶寬和存儲(chǔ)容量。而泛林的ALTUS Halo設(shè)備正是使美光能夠?qū)f投入量產(chǎn)的關(guān)鍵因素。

除了ALTUS Halo之外，泛林集團(tuán)還同期推出了一款名為Akara的等離子體蝕刻設(shè)備。這款設(shè)備采用了固態(tài)等離子體源，生成的等離子體響應(yīng)速度提升了百倍，支持更大縱橫比的超高精度蝕刻，能夠形成復(fù)雜的3D結(jié)構(gòu)。這一創(chuàng)新技術(shù)將為半導(dǎo)體工藝的進(jìn)一步發(fā)展提供有力支持。