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華南理工攜手海外專家,合成一維高熵氧化物,性能卓越登上《科學(xué)》

   時間:2025-06-01 10:27 作者:唐云澤

在材料科學(xué)的探索之旅中,一種名為高熵材料的全新領(lǐng)域正逐漸嶄露頭角。這類材料憑借其多元組分與高結(jié)構(gòu)無序性的獨特性質(zhì),在高溫、高壓及強腐蝕等極端環(huán)境下仍能展現(xiàn)卓越性能,引發(fā)了科研界的廣泛關(guān)注。

然而,制備一種既具備明確低維結(jié)構(gòu)、又能保持穩(wěn)定單相,同時擁有高機械性能的高熵氧化物,一直是科研人員面臨的難題。近日,華南理工大學(xué)前沿軟物質(zhì)學(xué)院與電子顯微中心的黃哲昊教授,攜手伊利諾伊大學(xué)芝加哥分校的Russell J. Hemley教授和Amin Salehi-Khojin教授,共同攻克了這一難題,成功合成了一維高熵氧化物(1D-HEO),其形態(tài)如同納米帶。

這種一維高熵氧化物不僅在超高溫度、高壓及強酸強堿環(huán)境中能保持穩(wěn)定,還展現(xiàn)出了遠超常規(guī)材料的力學(xué)性能。這一研究成果于近日在《科學(xué)》雜志上發(fā)表,標志著在高性能材料制備領(lǐng)域取得了重大突破。

據(jù)透露,該研究歷經(jīng)近五年,跨越多個學(xué)科領(lǐng)域,其中最大的挑戰(zhàn)在于如何準確解析這種成分復(fù)雜、形態(tài)特殊的一維高熵氧化物的晶體結(jié)構(gòu)。為此,研究團隊引入了三維電子衍射技術(shù),這一技術(shù)在納米晶體結(jié)構(gòu)解析中發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

通過三維電子衍射技術(shù),研究團隊不僅成功解析了單根納米帶的精確晶體結(jié)構(gòu),還揭示了其擇優(yōu)取向、生長面構(gòu)型及氧空位分布等關(guān)鍵微觀結(jié)構(gòu)特征。這一發(fā)現(xiàn)為理解高熵材料的超高穩(wěn)定性和相變機理提供了寶貴的理論支撐。

該研究在結(jié)構(gòu)設(shè)計層面也取得了開創(chuàng)性的進展,實現(xiàn)了低維高熵材料的精準合成。借助三維電子衍射技術(shù),研究團隊系統(tǒng)揭示了這種材料的微觀結(jié)構(gòu)與穩(wěn)定性機制,為高性能材料在極端環(huán)境下的應(yīng)用奠定了堅實基礎(chǔ)。

這種一維高熵氧化物在航天防護、腐蝕環(huán)境器件以及高強韌功能膜層等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。例如,它可以延長航天器部件的服役壽命,提高安全性,還能保障電子器件在超高溫高壓環(huán)境下持續(xù)穩(wěn)定運行。

這一研究成果不僅為高性能材料的制備和應(yīng)用開辟了新途徑,也為材料科學(xué)的發(fā)展注入了新的活力。

 
 
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