三星電子近日宣布，其半導(dǎo)體研究所已正式啟動(dòng)1nm工藝技術(shù)的研發(fā)項(xiàng)目，旨在2029年成功實(shí)現(xiàn)該先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的又一次大膽嘗試與突破。

據(jù)內(nèi)部消息透露，為了全力推進(jìn)1nm工藝的研發(fā)，三星電子已從2nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)中抽調(diào)了一批精英人才，組建了一支全新的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。該團(tuán)隊(duì)將致力于攻克1nm工藝中的技術(shù)難關(guān)，力求在高端芯片市場(chǎng)占據(jù)一席之地。

三星對(duì)1nm工藝寄予了極高的期望，將其視為“半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的夢(mèng)想之作”。然而，要實(shí)現(xiàn)這一夢(mèng)想，并非易事。據(jù)悉，1nm工藝的研發(fā)需要引入一系列全新的技術(shù)概念，并配備高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）等先進(jìn)設(shè)備。目前，三星尚未公開(kāi)透露是否已訂購(gòu)這些設(shè)備，但業(yè)界普遍認(rèn)為，這是三星實(shí)現(xiàn)1nm工藝量產(chǎn)的關(guān)鍵一步。

在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星的這一舉動(dòng)無(wú)疑是對(duì)臺(tái)積電的一次有力挑戰(zhàn)。長(zhǎng)期以來(lái)，臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域一直保持著領(lǐng)先地位，其2nm工藝預(yù)計(jì)將于2026年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而1nm工藝也在緊鑼密鼓地開(kāi)發(fā)中。面對(duì)臺(tái)積電的強(qiáng)勁對(duì)手，三星顯然不愿示弱，希望通過(guò)1nm工藝的研發(fā)，實(shí)現(xiàn)“技術(shù)翻盤”。

然而，三星在2nm工藝上的表現(xiàn)并不盡如人意。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星的2nm工藝良率目前仍低于臺(tái)積電。而三星的1.4nm工藝，則預(yù)計(jì)將于2027年量產(chǎn)。這意味著，在1nm工藝量產(chǎn)之前，三星還需要在提升工藝良率方面付出更多努力。

盡管如此，三星依然對(duì)1nm工藝的研發(fā)充滿信心。他們認(rèn)為，通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和研發(fā)投入，三星完全有能力克服當(dāng)前面臨的困難，實(shí)現(xiàn)1nm工藝的量產(chǎn)。這將不僅提升三星在半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，還將為消費(fèi)者帶來(lái)更加先進(jìn)、高效的芯片產(chǎn)品。