近期，據(jù)韓國(guó)媒體ETNews報(bào)道，三星電子針對(duì)其12nm級(jí)別DRAM內(nèi)存產(chǎn)品遇到的良率及性能挑戰(zhàn)，已經(jīng)制定了應(yīng)對(duì)策略。報(bào)道透露，三星在2024年末決定在優(yōu)化當(dāng)前1b nm工藝的基礎(chǔ)上，重新設(shè)計(jì)一款全新的1b nm DRAM。

這款新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P（P代表Prime），其重點(diǎn)在于提升能效和散熱性能。值得注意的是，這一命名邏輯與三星之前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P保持一致。

三星電子此前曾宣布，在2022年12月和2023年5月，其12nm級(jí)別的DDR5 DRAM已經(jīng)完成了開(kāi)發(fā)與批量生產(chǎn)。然而，這一代工藝并未能在LPDDR5x等關(guān)鍵領(lǐng)域取得預(yù)期的成功。甚至因此，三星的設(shè)備解決方案（DS）部門失去了為移動(dòng)體驗(yàn)（MX）部門的Galaxy S25系列手機(jī)初期供應(yīng)內(nèi)存的首要地位。

在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí)，三星電子的12nm級(jí)別DRAM工藝的良率僅為60%左右，遠(yuǎn)低于業(yè)界普遍認(rèn)為的大規(guī)模量產(chǎn)所需的80%至90%的良率水平。

為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，三星在2024年底緊急訂購(gòu)了D1B-P項(xiàng)目所需的設(shè)備。據(jù)預(yù)計(jì)，這一新版制程有望在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而最早的產(chǎn)品推出時(shí)間可能會(huì)在今年第二季度至第三季度之間。