近日，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存領(lǐng)域迎來(lái)了新的里程碑事件，金百達(dá)與光威兩大品牌攜手發(fā)布了采用國(guó)產(chǎn)DDR5芯片的內(nèi)存產(chǎn)品。這兩款新品不僅頻率高達(dá)6000MHz，單條容量也達(dá)到了16GB，更重要的是，以雙條套裝形式出售，價(jià)格僅為499元，引起了市場(chǎng)的廣泛關(guān)注。

盡管官方并未直接點(diǎn)名，但種種跡象表明，這批DDR5芯片的供應(yīng)商很可能是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。這一消息不僅意味著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)了DDR5芯片的規(guī)?；慨a(chǎn)，更象征著其在內(nèi)存制造領(lǐng)域邁出了重要的一步。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)此前以生產(chǎn)DDR4、LPDDR4、LPDDR4X系列芯片著稱，主要采用19納米制造工藝。而此次DDR5芯片的推出，無(wú)疑是對(duì)其產(chǎn)品線的重大拓展。

事實(shí)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在內(nèi)存芯片領(lǐng)域的進(jìn)步早已有跡可循。2023年11月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出了用于移動(dòng)端的LPDDR5芯片，這一舉動(dòng)已經(jīng)顯示出其在高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的雄心壯志。如今，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成功加入DDR5芯片的生產(chǎn)行列，與國(guó)際巨頭如三星、SK海力士、美光等并駕齊驅(qū)，無(wú)疑是對(duì)其技術(shù)實(shí)力的有力證明。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士透露，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR5芯片生產(chǎn)已經(jīng)全面鋪開(kāi)，并且產(chǎn)品良率已經(jīng)達(dá)到了約80％。這一數(shù)據(jù)不僅令人振奮，更顯示出長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在內(nèi)存芯片制造領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。值得注意的是，三星和SK海力士的DDR5芯片良率也僅在80-90％之間，這表明長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在這一領(lǐng)域已經(jīng)具備了與國(guó)際大廠一較高下的實(shí)力。

不僅如此，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在DDR5芯片的開(kāi)發(fā)過(guò)程中還展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新能力。據(jù)TechInsights的Jeongdong Choi博士透露，盡管長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)并未公開(kāi)相關(guān)信息，但根據(jù)他所掌握的信息，DDR5芯片通常使用G3工藝開(kāi)發(fā)，線寬為17.5納米，而DDR4芯片則使用G1工藝，線寬為22納米。這意味著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在DDR5芯片的開(kāi)發(fā)過(guò)程中，不僅采用了更先進(jìn)的工藝，還實(shí)現(xiàn)了更精細(xì)的線寬控制，從而提高了芯片的性能和穩(wěn)定性。

然而，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在內(nèi)存芯片制造領(lǐng)域的進(jìn)步并非一帆風(fēng)順。由于被美國(guó)列入實(shí)體清單，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)無(wú)法獲得與三星、SK海力士等大廠相同的EUV光刻設(shè)備，只能依靠現(xiàn)有設(shè)備和技術(shù)進(jìn)行研發(fā)和生產(chǎn)。在這樣的困境下，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)依然能夠以高良率量產(chǎn)DDR5芯片，無(wú)疑是一個(gè)巨大的技術(shù)突破。這一成就不僅展示了長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在內(nèi)存芯片制造領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力，更為國(guó)產(chǎn)內(nèi)存芯片的發(fā)展注入了新的活力和信心。