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三星9100 PRO評(píng)測(cè):PCIe5.0固態(tài)硬盤(pán)新標(biāo)桿,性能與溫控的完美結(jié)合

   時(shí)間:2025-04-16 11:03 作者:唐云澤

在PC DIY領(lǐng)域,固態(tài)硬盤(pán)的性能提升往往不如其他硬件那樣激進(jìn)。直到三星990 PRO的推出,PCIe 4.0時(shí)代的性能上限才被真正觸及。然而,隨著3A游戲容量的大幅增加和本地AI模型如DeepSeek的部署,對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的I/O性能和容量提出了更高要求,使得PCIe 5.0固態(tài)硬盤(pán)成為理想之選。

盡管PCIe 5.0標(biāo)準(zhǔn)在2019年5月就已發(fā)布,但首批PCIe 5.0固態(tài)硬盤(pán)直到2022年AMD發(fā)布銳龍9000平臺(tái)后才陸續(xù)上市。然而,高昂的價(jià)格、僅約10000MB/s的讀寫(xiě)性能(遠(yuǎn)低于PCIe 5.0x4的16GB/s帶寬上限)以及驚人的發(fā)熱量,讓不少?lài)L鮮用戶(hù)望而卻步。一些產(chǎn)品甚至需要配備風(fēng)扇和熱管等散熱器,這在固態(tài)硬盤(pán)中實(shí)屬罕見(jiàn)。

第一代PCIe 5.0固態(tài)硬盤(pán)上市后經(jīng)歷了短暫的“冷靜期”。作為消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)行業(yè)的標(biāo)桿,三星的動(dòng)態(tài)備受關(guān)注。雖然去年三星已發(fā)布了兼容PCIe 5.0的990 EVO和990 EVO Plus,但這兩款產(chǎn)品主打效能,真正的“進(jìn)攻型”產(chǎn)品一直未有消息,這符合三星穩(wěn)扎穩(wěn)打的技術(shù)路線(xiàn)。

上個(gè)月末,三星9100 PRO的發(fā)布打破了這一沉寂。它不僅在性能上再次獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷,還解決了上一代PCIe 5.0固態(tài)硬盤(pán)發(fā)熱嚴(yán)重的問(wèn)題,標(biāo)志著PCIe 5.0固態(tài)硬盤(pán)的成熟。從命名上看,四位數(shù)的全新系列和最大的9字開(kāi)頭,彰顯了三星對(duì)這款產(chǎn)品的重視程度。100既代表首款產(chǎn)品,也象征著一個(gè)全新的起點(diǎn)。

在評(píng)測(cè)前,我們先來(lái)看看三星9100 PRO的主要特點(diǎn):

1. 支持PCIe 5.0x4和NVMe 2.0規(guī)范

2. 順序讀寫(xiě)性能高達(dá)14800MB/s和13400MB/s,相比上代產(chǎn)品990 PRO提升99%和94%

3. 隨機(jī)讀寫(xiě)性能高達(dá)2200K IOPS和2600K IOPS,隨機(jī)寫(xiě)入速度相比990 PRO最高可提升73%

4. 采用增強(qiáng)的散熱管理解決方案,能效相比990 PRO提升49%,具備過(guò)熱保護(hù)機(jī)制(DTG)

5. 標(biāo)準(zhǔn)版和散熱片版齊發(fā),兼容性廣泛

6. 提供1TB、2TB、4TB容量可選,未來(lái)還將推出8TB容量版本

三星9100 PRO標(biāo)準(zhǔn)版的外觀延續(xù)了PRO系列的經(jīng)典設(shè)計(jì),正面標(biāo)簽變窄,能清晰看到NAND FLASH、主控和DRAM緩存芯片。散熱片版則配備了包裹式散熱片,產(chǎn)品標(biāo)簽貼在背面。

我們本次測(cè)試的均為4TB容量版本,采用單面芯片設(shè)計(jì),既減少了發(fā)熱又提升了兼容性。標(biāo)準(zhǔn)版PCB背面NAND FLASH的位置還覆有銅箔散熱片,進(jìn)一步提升散熱效率。

三星9100 PRO的正面標(biāo)簽設(shè)計(jì)更加細(xì)長(zhǎng),但風(fēng)格依然保持一致。標(biāo)簽上還標(biāo)注了容量、S/N編碼等信息,工作電流為3.3V 2.9A,與自家的980 PRO相同,達(dá)到PCIe 4.0高端產(chǎn)品的水準(zhǔn)。

散熱片版配備了8.8mm高的包裹式散熱器,符合PCI-SIG?D8規(guī)范,不會(huì)干擾顯卡、主板的PCH散熱片等,兼容性極佳。獨(dú)特的造型設(shè)計(jì)不僅增加了散熱面積,還有效防止過(guò)熱。

揭開(kāi)9100 PRO標(biāo)準(zhǔn)版正面的標(biāo)簽,可以看到PCB上布滿(mǎn)了元器件,視覺(jué)效果非常飽滿(mǎn)。三星9100 PRO配備了三星最新的自研主控芯片,采用5nm制造工藝和低功耗架構(gòu),表面有鍍鎳散熱涂層,加上動(dòng)態(tài)散熱保護(hù)機(jī)制(DTG)和銅箔輔助散熱標(biāo)簽/包裹式散熱器,確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸。

作為高端產(chǎn)品,9100 PRO配備了LPDDR4X DRAM獨(dú)立緩存芯片,4TB版本配備了4GB,進(jìn)一步提升了I/O效能。核心存儲(chǔ)元件是兩顆三星第八代V-NAND TLC原廠(chǎng)閃存芯片,保證了其卓越的性能。

通過(guò)Crystal Disk info,我們可以看到三星9100 PRO標(biāo)準(zhǔn)版4TB的可用容量為4000.7GB,傳輸模式為PCIe 5.0x4,支持NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn),以及S.M.A.R.T、TRIM和VolatileWriteCache功能。VolatileWriteCache是NVMe協(xié)議中的一個(gè)特性,通過(guò)暫存數(shù)據(jù)減少延遲并提高寫(xiě)入速度。

在基準(zhǔn)測(cè)試中,三星9100 PRO 4TB的連續(xù)讀取速度高達(dá)14748.23MB/s和13448.37MB/s,接近標(biāo)稱(chēng)值,達(dá)到了“滿(mǎn)血”P(pán)CIe 5.0水準(zhǔn)。其順序讀寫(xiě)性能相比上代旗艦產(chǎn)品990 PRO近乎翻倍。

在隨機(jī)性能測(cè)試中,三星9100 PRO 4TB的4K隨機(jī)性能達(dá)到2000K IOPS和1915K IOPS,可大幅提升系統(tǒng)響應(yīng)和應(yīng)用/游戲加載速度。三星特有的TurboWrite 2.0技術(shù)大幅提升了SLC緩存空間,在HD Tune Pro的文件基準(zhǔn)測(cè)試中,SLC緩存大于設(shè)定的230GB。

在高階性能測(cè)試中,我們使用IOmeter進(jìn)行壓力測(cè)試。在順序?qū)懭霚y(cè)試中,三星9100 PRO 4TB的連續(xù)寫(xiě)入速度穩(wěn)定在13100--13400MBps區(qū)間,空盤(pán)時(shí)SLC緩存約為995GB。在隨機(jī)寫(xiě)入測(cè)試中,性能也非常穩(wěn)定,密集區(qū)間處于240000~245000IOps。

在能耗方面,三星9100 PRO也非常注重。它有5種預(yù)設(shè)模式,全速運(yùn)行PS0--PS2模式最高功耗為9.3W,但淺度睡眠PS3模式可低至0.05W,深度睡眠PS4模式更是低至0.007W,整體能耗甚至與一些DRAMLess的PCIe 4.0固態(tài)硬盤(pán)相當(dāng)。

在壓力測(cè)試中,三星9100 PRO的溫度控制也非常出色。在25℃室溫下待機(jī)溫度僅為49℃,測(cè)試中最高溫度僅有71℃,不會(huì)觸發(fā)動(dòng)態(tài)散熱保護(hù)機(jī)制(DTG)。測(cè)試完成后5分鐘,溫度就降到接近待機(jī)狀態(tài)。

在應(yīng)用模擬測(cè)試中,三星9100 PRO 4TB在PCMARK10完整系統(tǒng)盤(pán)測(cè)試中得分6331分,帶寬為997.95MB/s。在3DMARK存儲(chǔ)測(cè)試中得分5936分,平均帶寬為1008.14MB/s。在《最終幻想:曦光旅路》的Benchmark中,全部轉(zhuǎn)場(chǎng)載入時(shí)間僅為6.275秒,相比某PCIe 4.0旗艦級(jí)固態(tài)硬盤(pán)減少了35%。

三星還提供了SAMSUNG Magician軟件,讓用戶(hù)隨時(shí)了解存儲(chǔ)設(shè)備的健康狀態(tài)并進(jìn)行原廠(chǎng)級(jí)維護(hù)。該軟件支持性能測(cè)試、性能模式設(shè)置、數(shù)據(jù)遷移和安全擦除等功能。

三星9100 PRO不僅性能卓越,品質(zhì)也非常出眾。它擁有高達(dá)150萬(wàn)小時(shí)的平均故障間隔時(shí)間(MTBF),全盤(pán)寫(xiě)入壽命高達(dá)2400TBW(4TB容量),并提供5年質(zhì)保。還支持AES256位全磁盤(pán)加密等數(shù)據(jù)安全技術(shù),為專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的數(shù)據(jù)安全提供保障。

 
 
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