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三星半導(dǎo)體新動(dòng)向:舍棄低端光掩模自產(chǎn),全力進(jìn)軍尖端光刻領(lǐng)域

   時(shí)間:2025-05-16 13:07 作者:江紫萱

近期,科技領(lǐng)域傳來(lái)一則新動(dòng)態(tài),據(jù)semimedia于5月15日發(fā)布的消息透露,三星電子正醞釀一項(xiàng)重大生產(chǎn)策略調(diào)整——計(jì)劃將低端光掩模(photomask)的生產(chǎn)任務(wù)外部委托,以便集中內(nèi)部資源,專(zhuān)攻下一代存儲(chǔ)芯片所需的高端光刻技術(shù)。

據(jù)可靠消息,三星目前正積極物色i-line(365nm)與KrF(248nm)光掩模的潛在合作伙伴,考察對(duì)象涵蓋了日本Toppan Holdings旗下的Tekscend Photomask公司,以及美國(guó)Photronics旗下的PKL企業(yè)。預(yù)計(jì)整個(gè)評(píng)估流程將在今年第三季度塵埃落定。

值得注意的是,三星電子以往一直秉持自給自足的原則,堅(jiān)持所有光掩模的內(nèi)部生產(chǎn),以防止技術(shù)外泄。然而,隨著內(nèi)部設(shè)備的逐漸老化,加之低端光掩模技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn)系數(shù)有所降低,三星開(kāi)始重新考量其外包策略,尋求更為靈活高效的生產(chǎn)模式。

光掩模作為半導(dǎo)體制造中的核心組件,扮演著將電路圖案精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移至硅片上的關(guān)鍵角色。其中,EUV(13.5nm)等短波長(zhǎng)技術(shù)以其超高分辨率,成為尖端工藝的首選;而i-line與KrF則更多地服務(wù)于成熟工藝節(jié)點(diǎn),支撐著半導(dǎo)體行業(yè)的穩(wěn)健發(fā)展。

 
 
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