近期，美光科技的高管在出席一次行業(yè)分析會議時透露了公司的最新動態(tài)。執(zhí)行副總裁兼首席財務官Mark Murphy在會上宣布，美光的12層堆疊HBM內存產品（型號為12Hi HBM3E）即將進入大規(guī)模生產階段。

據美光方面介紹，這款12Hi HBM3E產品在性能上具備顯著優(yōu)勢。與市場上的競品相比，其容量高出50%，同時功耗降低了20%。這一突破性的進展無疑將增強美光在高端內存市場的競爭力。

Mark Murphy進一步表示，美光在HBM領域的目標是實現(xiàn)與整體DRAM市場相當的市場占有率，即達到20%。即便當前三星電子在HBM業(yè)務上遇到了一些挑戰(zhàn)，美光依然堅定這一目標。隨著HBM產能的提升，美光的整體財務數據也有望得到顯著改善。

在NAND閃存方面，Mark Murphy透露了公司的不同策略。他指出，當前NAND閃存行業(yè)的整體狀況依然疲軟。因此，美光決定放緩制程遷移的步伐，如推遲升級至最新的G9 278層節(jié)點，以降低供應能力，從而加速庫存消耗。盡管面臨挑戰(zhàn)，但美光對2025年的市場前景持樂觀態(tài)度，預計整體情況將逐步好轉。

在財務數據方面，Mark Murphy預計美光在2024財年第三財季（截至2025年3月末）的毛利率將有所下降。這主要是由于客戶端出貨規(guī)模的提升伴隨著產品價格的降低，以及NAND閃存市場的整體行情不佳所致。盡管面臨這些挑戰(zhàn)，但美光依然致力于通過技術創(chuàng)新和市場策略調整，保持其在半導體行業(yè)的領先地位。