近期，科技圈內(nèi)傳來消息，蘋果、高通及聯(lián)發(fā)科三大科技巨頭已確定將采用臺積電的2nm制程技術(shù)于明年推出新品。這一決策預(yù)示著，隨著技術(shù)的進(jìn)一步升級，相關(guān)新機(jī)的成本或?qū)⒂瓉盹@著提升，市場上或?qū)⒂瓉硇乱惠喌膬r(jià)格上漲。

回顧去年，國產(chǎn)品牌曾因高通驍龍8 Elite與聯(lián)發(fā)科天璣9400芯片采用臺積電3nm工藝而集體上調(diào)了價(jià)格。彼時(shí)，REDMI總經(jīng)理王騰曾對此作出解釋，指出漲價(jià)的主要原因有兩點(diǎn)：一是旗艦處理器升級至最新的3nm制程，工藝成本大幅增加；二是內(nèi)存與存儲成本在過去一年中持續(xù)攀升，已達(dá)到最高點(diǎn)，因此大內(nèi)存版本的漲幅更為顯著。

步入新的一年，科技巨頭們并未停止前進(jìn)的腳步。據(jù)悉，高通驍龍8 Elite 3與聯(lián)發(fā)科天璣9600等芯片都將升級為臺積電全新的2nm制程技術(shù)，這無疑將再度推高生產(chǎn)成本。業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，這一變化或?qū)⒁l(fā)終端旗艦產(chǎn)品的新一輪漲價(jià)潮。

臺積電的2nm制程技術(shù)備受矚目，其首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術(shù)，并結(jié)合NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了前所未有的標(biāo)準(zhǔn)元件靈活性。相較于當(dāng)前的N3E工藝，N2工藝在相同功率下預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。這一技術(shù)突破無疑將為用戶帶來更為出色的使用體驗(yàn)。

然而，技術(shù)的升級往往伴隨著成本的增加。據(jù)透露，臺積電每片300mm的2nm晶圓報(bào)價(jià)可能超過3萬美元，而當(dāng)前3nm晶圓的價(jià)格則在1.85萬至2萬美元之間。這一價(jià)格差異無疑將對終端產(chǎn)品的定價(jià)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

面對即將到來的價(jià)格上漲，消費(fèi)者或許需要提前做好心理準(zhǔn)備。不過，從另一方面來看，技術(shù)的不斷升級也將為用戶帶來更為出色的產(chǎn)品性能和使用體驗(yàn)。因此，在價(jià)格上漲的同時(shí)，我們也期待看到更多創(chuàng)新技術(shù)的涌現(xiàn)。