半導(dǎo)體IP領(lǐng)域的創(chuàng)新企業(yè)M31円星科技近日宣布了一項重要進(jìn)展。據(jù)悉，該公司的eUSB2 PHY IP在臺積電的2nm制程節(jié)點上已成功完成設(shè)計定案，而針對3nm節(jié)點的版本也已經(jīng)順利通過了硅驗證。
eUSB2作為USB 2.0面向嵌入式應(yīng)用的物理層修訂版本，其設(shè)計充分考慮了先進(jìn)工藝節(jié)點對電壓的更低耐受性，因此在信號電壓上進(jìn)行了調(diào)整，同時優(yōu)化了能效表現(xiàn)。USB-IF還推出了eUSB2的改進(jìn)版v2，將傳輸速度上限提升至接近USB 3.2 Gen 1的4.8 Gbps。
M31円星科技表示，其eUSB2 IP解決方案憑借其出色的性能和穩(wěn)定性，已經(jīng)贏得了多家全球領(lǐng)先的智能手機芯片制造商和AI圖像處理應(yīng)用企業(yè)的青睞，并被廣泛應(yīng)用于他們的產(chǎn)品中。
不僅如此，M31円星科技還在積極推進(jìn)eUSB2V2 IP的開發(fā)工作，并著手布局臺積電的N3與N2制程技術(shù)。此舉旨在進(jìn)一步擴展和完善其eUSB2解決方案平臺，以滿足市場對高性能、低功耗USB接口日益增長的需求。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步和智能設(shè)備的廣泛應(yīng)用，USB接口作為數(shù)據(jù)傳輸和充電的重要接口標(biāo)準(zhǔn)，其性能和穩(wěn)定性對于用戶體驗至關(guān)重要。M31円星科技此次在eUSB2 IP方面的突破，無疑將為市場帶來更多高性能、低功耗的USB解決方案，推動整個行業(yè)的發(fā)展。
未來，隨著更多先進(jìn)制程技術(shù)的引入和應(yīng)用，M31円星科技將繼續(xù)發(fā)揮其在半導(dǎo)體IP領(lǐng)域的專業(yè)優(yōu)勢，為市場帶來更多創(chuàng)新、高效的解決方案。
