在2025年度的臺(tái)北國(guó)際電腦展盛會(huì)上，群聯(lián)電子震撼發(fā)布了一款專(zhuān)為高寫(xiě)入需求設(shè)計(jì)的旗艦級(jí)企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)——Pascari X200Z，該產(chǎn)品標(biāo)志著群聯(lián)在性能優(yōu)化領(lǐng)域取得了新的里程碑。

Pascari X200Z固態(tài)硬盤(pán)是群聯(lián)針對(duì)生成式人工智能和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析等高寫(xiě)入耐用性應(yīng)用場(chǎng)景的精心之作。它搭載了PCIe 5.0 2×2雙端口技術(shù)，完美兼容NVMe 2.0協(xié)議，實(shí)現(xiàn)了接近存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存的響應(yīng)速度，同時(shí)保證了每天60次全盤(pán)覆寫(xiě)（60DWPD）的卓越耐用性。

這款旗艦產(chǎn)品的核心技術(shù)基于先進(jìn)的3D TLC NAND閃存，采用了U.2接口標(biāo)準(zhǔn)，盡管在容量上僅推出了800GB、1.6TB和3.2TB三個(gè)相對(duì)較小規(guī)格，但在性能方面卻毫不妥協(xié)。

Pascari X200Z的順序讀取速度高達(dá)14800MB/s，寫(xiě)入速度也達(dá)到了驚人的9500MB/s。在隨機(jī)讀寫(xiě)性能方面，它同樣表現(xiàn)出色，隨機(jī)讀取IOPS高達(dá)3100K，隨機(jī)寫(xiě)入IOPS則達(dá)到了950K。其隨機(jī)讀寫(xiě)延遲也極低，分別為45微秒和10微秒，為用戶帶來(lái)了極致的存儲(chǔ)體驗(yàn)。

群聯(lián)此次發(fā)布的Pascari X200Z固態(tài)硬盤(pán)，不僅展現(xiàn)了群聯(lián)在固態(tài)硬盤(pán)技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，也為高寫(xiě)入密集型應(yīng)用場(chǎng)景提供了全新的解決方案。這款產(chǎn)品無(wú)疑將成為企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)的一顆璀璨明星。