聯(lián)華電子（UMC），又稱聯(lián)電，在其最新發(fā)布的年度報(bào)告中透露了關(guān)于其技術(shù)進(jìn)展的積極消息。報(bào)告指出，聯(lián)電與英特爾攜手開發(fā)的12納米（nm）工藝節(jié)點(diǎn)目前正處于順利的開發(fā)階段。

據(jù)聯(lián)電介紹，12nm工藝相較于其當(dāng)前的14nm工藝，在功耗、性能和面積（PPA）這三個(gè)核心指標(biāo)上均取得了顯著的提升。這一進(jìn)步使得聯(lián)電的客戶和合作伙伴對(duì)12nm工藝所蘊(yùn)含的商機(jī)充滿了期待。來(lái)自主要客戶的初期評(píng)估反饋顯示，聯(lián)電的12nm工藝在業(yè)界預(yù)計(jì)將展現(xiàn)出極強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

聯(lián)電預(yù)計(jì)，12nm制程的工藝驗(yàn)證工作將在2026年完成，并計(jì)劃在2027年正式投入生產(chǎn)。這一時(shí)間表不僅展示了聯(lián)電在技術(shù)推進(jìn)上的穩(wěn)健步伐，也為其客戶提供了明確的時(shí)間規(guī)劃。

在先進(jìn)封裝技術(shù)方面，聯(lián)電同樣取得了不俗的進(jìn)展。公司表示，其晶圓級(jí)3D W2W（晶圓對(duì)晶圓）混合鍵合解決方案在帶寬和尺寸縮減方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。特別是在移動(dòng)設(shè)備射頻元器件領(lǐng)域，聯(lián)電正加速推進(jìn)，目標(biāo)是在本年度內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

聯(lián)電的這一系列技術(shù)突破，不僅彰顯了其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的深厚積累，也為未來(lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著12nm工藝的逐步成熟和先進(jìn)封裝技術(shù)的量產(chǎn)，聯(lián)電有望在半導(dǎo)體行業(yè)中繼續(xù)保持其領(lǐng)先地位。